창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SP8J2TB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SP8J2 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
카탈로그 페이지 | 1634 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 어레이 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | 2 P-Chan(이중) | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 4.5A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 56m옴 @ 4.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.5nC(5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 850pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | SP8J2TB-ND SP8J2TBTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SP8J2TB | |
관련 링크 | SP8J, SP8J2TB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | MLZ2012M220WT000 | 22µH Shielded Multilayer Inductor 220mA 2.6 Ohm Max 0805 (2012 Metric) | MLZ2012M220WT000.pdf | |
![]() | SFR16S0003240FA500 | RES 324 OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR16S0003240FA500.pdf | |
![]() | PEB3224EV1.4 | PEB3224EV1.4 SIEMENS QFP | PEB3224EV1.4.pdf | |
![]() | ACE515A25HN+H | ACE515A25HN+H ACE SC70-5 | ACE515A25HN+H.pdf | |
![]() | MS98101-103M | MS98101-103M MISAN PBF | MS98101-103M.pdf | |
![]() | LQG15HN5N6S00D | LQG15HN5N6S00D MURATA SMD or Through Hole | LQG15HN5N6S00D.pdf | |
![]() | BQ20Z955DBTR | BQ20Z955DBTR TI TSOP | BQ20Z955DBTR.pdf | |
![]() | T7258ML | T7258ML LUCENT PLCC | T7258ML.pdf | |
![]() | 1SMB7.5AT3 | 1SMB7.5AT3 ONSemiconductor DO-214AA | 1SMB7.5AT3.pdf | |
![]() | A04-0107 | A04-0107 ORIGINAL SMD or Through Hole | A04-0107.pdf | |
![]() | DH3467D-883 | DH3467D-883 ORIGINAL CDIP | DH3467D-883.pdf |