Infineon Technologies SN7002WH6327XTSA1
- 제조업체 부품 번호
- SN7002WH6327XTSA1
- 제조업 자
- Infineon Technologies
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SN7002WH6327XTSA1 가격 및 조달
가능 수량
26550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 27.78685
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SN7002WH6327XTSA1 재고가 있습니다. 우리는 Infineon Technologies 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Infineon Technologies 전자 부품 전문. SN7002WH6327XTSA1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SN7002WH6327XTSA1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SN7002WH6327XTSA1 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SN7002WH6327XTSA1 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SN7002WH6327XTSA1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SN7002W | |
| PCN 포장 | Reel Cover Tape Chg 16/Feb/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Infineon Technologies | |
| 계열 | SIPMOS® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230mA(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5옴 @ 230mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 26µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.5nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 45pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | PG-SOT323-3 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SN7002WH6327XTSA1TR SP000917572 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SN7002WH6327XTSA1 | |
| 관련 링크 | SN7002WH63, SN7002WH6327XTSA1 데이터 시트, Infineon Technologies 에이전트 유통 | |
SN7002WH6327XTSA1 의 관련 제품
 | XBHAWT-00-0000-000LT20F6 | LED Lighting XLamp® XB-H White, Warm 3700K 2.9V 700mA 110° 2-SMD, No Lead, Exposed Pad | XBHAWT-00-0000-000LT20F6.pdf | |
 | IVS1-5N0-00-A | IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY | IVS1-5N0-00-A.pdf | |
 | CMF6556K000FKEB | RES 56K OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF6556K000FKEB.pdf | |
 | PXV1220S-3DBN1-T02 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 0.063W, 1/16W 0805 (2012 Metric) | PXV1220S-3DBN1-T02.pdf | |
| P51-2000-S-T-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-2000-S-T-D-20MA-000-000.pdf | |
| 333-4116 | 333-4116 MOTOROLA DIP16 | 333-4116.pdf | |
| RSS180N03TB | RSS180N03TB ROHM SMD or Through Hole | RSS180N03TB.pdf | |
| 68A36RW | 68A36RW ORIGINAL SMD or Through Hole | 68A36RW.pdf | |
| 215-0735033 | 215-0735033 ATI BGA | 215-0735033.pdf | |
| ITCT-II | ITCT-II ATMEL BGA | ITCT-II.pdf | |
| KM68V1000CLRGE-7L | KM68V1000CLRGE-7L SAMSUNG TSSOP32 | KM68V1000CLRGE-7L.pdf |