창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMUN5330DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5330DW1, NSBC113EPDXV6 | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 1k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 1k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 187mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMUN5330DW1T1G | |
| 관련 링크 | SMUN5330, SMUN5330DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | MKP1839111632G | 110pF Film Capacitor 250V 630V Polypropylene (PP), Metallized Axial 0.236" Dia x 0.433" L (6.00mm x 11.00mm) | MKP1839111632G.pdf | |
![]() | ALSR03R1300JE12 | RES 0.13 OHM 3W 5% AXIAL | ALSR03R1300JE12.pdf | |
![]() | MS46SR-20-1215-Q2-R-NC-FP | SPARE RECEIVER | MS46SR-20-1215-Q2-R-NC-FP.pdf | |
![]() | EC2SM30000M | EC2SM30000M ECLIPTEK SMD or Through Hole | EC2SM30000M.pdf | |
![]() | IRGKIN05+0M12 | IRGKIN05+0M12 IR TO | IRGKIN05+0M12.pdf | |
![]() | 1941/5198 100W | 1941/5198 100W winbond/st sopdip | 1941/5198 100W.pdf | |
![]() | LVTH373 | LVTH373 FSC TSSOP20 | LVTH373.pdf | |
![]() | DFYY61G95LANAG-RB4 | DFYY61G95LANAG-RB4 MURATA SMD or Through Hole | DFYY61G95LANAG-RB4.pdf | |
![]() | OV0620 | OV0620 ORIGINAL SMD or Through Hole | OV0620.pdf | |
![]() | NCT050C120000MHZ | NCT050C120000MHZ SARONIX SMD or Through Hole | NCT050C120000MHZ.pdf | |
![]() | EC1589-000 | EC1589-000 TycoElectronics/ SMD or Through Hole | EC1589-000.pdf |