창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMUN5214DW1T1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN5214DW1, NSBC114YDxx | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 187mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SMUN5214DW1T1G-ND SMUN5214DW1T1GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMUN5214DW1T1G | |
| 관련 링크 | SMUN5214, SMUN5214DW1T1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 402F19212ILR | 19.2MHz ±10ppm 수정 12pF 300옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F19212ILR.pdf | |
![]() | RMCF0402FT1M20 | RES SMD 1.2M OHM 1% 1/16W 0402 | RMCF0402FT1M20.pdf | |
![]() | YC122-JR-07110KL | RES ARRAY 2 RES 110K OHM 0404 | YC122-JR-07110KL.pdf | |
![]() | OCRZ-560UF 4V 8*8 3.3mm | OCRZ-560UF 4V 8*8 3.3mm ST SMD or Through Hole | OCRZ-560UF 4V 8*8 3.3mm .pdf | |
![]() | IDT74ALVC162830DF | IDT74ALVC162830DF IDT SMD or Through Hole | IDT74ALVC162830DF.pdf | |
![]() | 10UF/16VC | 10UF/16VC ORIGINAL SMD or Through Hole | 10UF/16VC.pdf | |
![]() | YCN35LJ-103 | YCN35LJ-103 ORIGINAL SMD or Through Hole | YCN35LJ-103.pdf | |
![]() | MBM29LV160BE70NC-K | MBM29LV160BE70NC-K FUJITSU TSOP-48 | MBM29LV160BE70NC-K.pdf | |
![]() | 8T95F | 8T95F S DIP | 8T95F.pdf | |
![]() | 35ME33CA | 35ME33CA SANYO DIP | 35ME33CA.pdf |