창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMUN5114T3G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MUN(2,5)114, MMUN2114L, DTA114Yxx, NSBA114YF3 | |
| PCN 설계/사양 | Green Compound Update 04/Mar/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | PNP - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 202mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
| 공급 장치 패키지 | SC-70-3(SOT323) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMUN5114T3G | |
| 관련 링크 | SMUN51, SMUN5114T3G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | MBB02070C4300FCT00 | RES 430 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C4300FCT00.pdf | |
![]() | M56V16160JP-10 | M56V16160JP-10 OKI SOP-25 | M56V16160JP-10.pdf | |
![]() | S6A0069X01-COCX | S6A0069X01-COCX SAM SMD or Through Hole | S6A0069X01-COCX.pdf | |
![]() | BCW72TA | BCW72TA ZETEX SOT23 | BCW72TA.pdf | |
![]() | MN550VDD | MN550VDD ORIGINAL DIP | MN550VDD.pdf | |
![]() | 149437 | 149437 OMRON TSSOP | 149437.pdf | |
![]() | FL3J-2 | FL3J-2 INTERSIL SMD or Through Hole | FL3J-2.pdf | |
![]() | MCR10EZHFX4122E | MCR10EZHFX4122E ROHM SMD or Through Hole | MCR10EZHFX4122E.pdf | |
![]() | 62RE4S-1000 | 62RE4S-1000 SIGMA SMD or Through Hole | 62RE4S-1000.pdf | |
![]() | 74LVCHR16245A | 74LVCHR16245A TI TSSOP | 74LVCHR16245A.pdf |