창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SMMSZ5260BT1G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| PCN 포장 | Covering Tape/Material Chg 20/May/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 43V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 93옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 33V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SMMSZ5260BT1G | |
| 관련 링크 | SMMSZ52, SMMSZ5260BT1G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
| SIHA21N65EF-E3 | MOSFET N-CH 650V 21A TO-220 | SIHA21N65EF-E3.pdf | ||
![]() | ELL-6SH1R5M | 1.5µH Shielded Wirewound Inductor 3.2A 24 mOhm Nonstandard | ELL-6SH1R5M.pdf | |
![]() | EN29C002ANT | EN29C002ANT EON PLCC | EN29C002ANT.pdf | |
![]() | KIC7S66FU-RTK | KIC7S66FU-RTK KEC SMD or Through Hole | KIC7S66FU-RTK.pdf | |
![]() | C34322AE | C34322AE ORIGINAL DIP40 | C34322AE.pdf | |
![]() | MC78L08ADR | MC78L08ADR ON SOP8 | MC78L08ADR.pdf | |
![]() | CS2000FA | CS2000FA ORIGINAL SMD or Through Hole | CS2000FA.pdf | |
![]() | SFH836NF001 | SFH836NF001 SAMSUNG 4KR | SFH836NF001.pdf | |
![]() | LH0080E | LH0080E SHARP SMD or Through Hole | LH0080E.pdf | |
![]() | LT1215MJ8/883 | LT1215MJ8/883 LT DIP | LT1215MJ8/883.pdf | |
![]() | PJSD03TM | PJSD03TM PANJit SOD-923 | PJSD03TM.pdf | |
![]() | GRM188B1H271KD01D | GRM188B1H271KD01D MURATA SMD or Through Hole | GRM188B1H271KD01D.pdf |