창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5386B/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 180V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 430옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 130V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5386B/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5386, SMBJ5386B/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
TA-4R0TCMS470M-B2R 4V47UF-B | TA-4R0TCMS470M-B2R 4V47UF-B FUJITSU SMD or Through Hole | TA-4R0TCMS470M-B2R 4V47UF-B.pdf | ||
TL062AP(NEW+SOP8) | TL062AP(NEW+SOP8) TI SOP8 | TL062AP(NEW+SOP8).pdf | ||
ADVC812BS | ADVC812BS ADI SMD or Through Hole | ADVC812BS.pdf | ||
DAC-08AP/883 | DAC-08AP/883 PMI SMD or Through Hole | DAC-08AP/883.pdf | ||
5-177983-4 | 5-177983-4 AMP/TYCO SMD | 5-177983-4.pdf | ||
62-0158PBF | 62-0158PBF IR SMD or Through Hole | 62-0158PBF.pdf | ||
DC40DDT | DC40DDT POWER DIP8 | DC40DDT.pdf | ||
K1S1616B1M-EI55 | K1S1616B1M-EI55 SAMSUNG BGA | K1S1616B1M-EI55.pdf | ||
K3399 | K3399 TOS TO263 | K3399.pdf | ||
1766354-1 | 1766354-1 TycoElectronics SMD or Through Hole | 1766354-1.pdf | ||
M34280M1-282FP | M34280M1-282FP MITSUBISHI SOP | M34280M1-282FP.pdf | ||
BLT0101N | BLT0101N BLT DIP8 | BLT0101N.pdf |