창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5358A/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 22V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 3.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 15.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5358A/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5358, SMBJ5358A/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
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![]() | C901U609DUNDBAWL45 | 6pF 400VAC 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U609DUNDBAWL45.pdf | |
![]() | BAS16VY,115 | DIODE ARRAY GP 100V 200MA 6TSSOP | BAS16VY,115.pdf | |
![]() | SM6227JTR160 | RES SMD 0.16 OHM 5% 3W 6227 | SM6227JTR160.pdf | |
![]() | Y112120R8000B0R | RES SMD 20.8OHM 0.1% 1/4W J LEAD | Y112120R8000B0R.pdf | |
![]() | BTB10-600BWRG.. | BTB10-600BWRG.. ST TO-220 | BTB10-600BWRG...pdf | |
![]() | LE80536 723 1.0/2M/400 SL7UY | LE80536 723 1.0/2M/400 SL7UY INTEL BGA | LE80536 723 1.0/2M/400 SL7UY.pdf | |
![]() | LP5996SDX-3033 | LP5996SDX-3033 NS SO | LP5996SDX-3033.pdf | |
![]() | XC6382P502PR | XC6382P502PR TOREX SOT-89 | XC6382P502PR.pdf | |
![]() | SKQNAKD010 | SKQNAKD010 ALPS SMD or Through Hole | SKQNAKD010.pdf | |
![]() | 2GBSDCard | 2GBSDCard StrontiumTechnolo SMD or Through Hole | 2GBSDCard.pdf |