창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ5339C/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMB(G,J)5333B-88B | |
PCN 단종/ EOL | SMByyyyy Device OBS Aug/2016 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 생산 종료 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 1옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ5339C/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ5339, SMBJ5339C/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | CGA4C2NP01H103J060AA | 10000pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4C2NP01H103J060AA.pdf | |
![]() | GP1M006A065PH | MOSFET N-CH 650V 5.5A IPAK | GP1M006A065PH.pdf | |
![]() | RG1608P-1690-W-T1 | RES SMD 169 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-1690-W-T1.pdf | |
![]() | 063P3NSE | 063P3NSE INFINEON SON8 | 063P3NSE.pdf | |
![]() | ISD1110 CUB | ISD1110 CUB ISD SMD or Through Hole | ISD1110 CUB.pdf | |
![]() | EM78P468H | EM78P468H ORIGINAL 59-DIC | EM78P468H.pdf | |
![]() | GV4JTB101 | GV4JTB101 TOCOS SMD or Through Hole | GV4JTB101.pdf | |
![]() | SREBP10VB22RM6X5LL | SREBP10VB22RM6X5LL UMITEDCHEMI-CON DIP | SREBP10VB22RM6X5LL.pdf | |
![]() | UPD1859G-004 | UPD1859G-004 NEC QFP | UPD1859G-004.pdf | |
![]() | MVR34 HXBR N334 3X3 330K | MVR34 HXBR N334 3X3 330K ROHM SMD or Through Hole | MVR34 HXBR N334 3X3 330K.pdf | |
![]() | SGNBDBSVAH-B A0678441 | SGNBDBSVAH-B A0678441 ST QFP | SGNBDBSVAH-B A0678441.pdf |