창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBJ10CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMBx5.0 thru SMBx170A,CA,e3 | |
종류 | 회로 보호 | |
제품군 | TVS - 다이오드 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | 제너 | |
단방향 채널 | - | |
양방향 채널 | 1 | |
전압 - 역스탠드오프(통상) | 10V | |
전압 - 항복(최소) | 11.1V | |
전압 - 클램핑(최대) @ Ipp | 18.8V | |
전류 - 피크 펄스(10/1000µs) | 31.9A | |
전력 - 피크 펄스 | 600W | |
전력선 보호 | 없음 | |
응용 제품 | 범용 | |
정전 용량 @ 주파수 | - | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AA, SMB | |
공급 장치 패키지 | SMBJ(DO-214AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBJ10CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBJ10CE, SMBJ10CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
RGF1JHE3/5CA | DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA | RGF1JHE3/5CA.pdf | ||
BCP53-16,135 | TRANS PNP 80V 1A SOT223 | BCP53-16,135.pdf | ||
AA0201FR-0748K7L | RES SMD 48.7K OHM 1% 1/20W 0201 | AA0201FR-0748K7L.pdf | ||
TNPW20104K42BEEY | RES SMD 4.42K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW20104K42BEEY.pdf | ||
C3225X5R1C106K | C3225X5R1C106K TDK SMD or Through Hole | C3225X5R1C106K.pdf | ||
MC0192 | MC0192 MOT SOP-8 | MC0192.pdf | ||
TC58DVM82F1TIGIO | TC58DVM82F1TIGIO TOSHIBA TSSOP 0530 | TC58DVM82F1TIGIO.pdf | ||
ICS2496M-456 | ICS2496M-456 ICS SOP-16 | ICS2496M-456.pdf | ||
234-1101-21-T(234110121) | 234-1101-21-T(234110121) MAXIM PLCC44 | 234-1101-21-T(234110121).pdf | ||
NRA475M06R8 NOPB | NRA475M06R8 NOPB NEC DO123 | NRA475M06R8 NOPB.pdf | ||
DPU30 | DPU30 ORIGINAL SMD or Through Hole | DPU30.pdf | ||
RB420DS | RB420DS Micro SOT-23 | RB420DS.pdf |