창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMBG5353CE3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMBJ5333B-5388B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 16V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 5W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2.5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 11.5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 1A | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-215AA, SMB 갈매기날개형 | |
공급 장치 패키지 | SMBG(DO-215AA) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMBG5353CE3/TR13 | |
관련 링크 | SMBG5353C, SMBG5353CE3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | NTGS5120PT1G | MOSFET P-CH 60V 1.8A 6-TSOP | NTGS5120PT1G.pdf | |
![]() | NLCV25T-4R7M-PFR | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 500mA 684 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | NLCV25T-4R7M-PFR.pdf | |
![]() | RT2512FKE076K81L | RES SMD 6.81K OHM 1% 3/4W 2512 | RT2512FKE076K81L.pdf | |
![]() | RK1L23V | RK1L23V ARM SMD or Through Hole | RK1L23V.pdf | |
![]() | 688-A2002B | 688-A2002B BI 16SOP | 688-A2002B.pdf | |
![]() | PT2422-TX | PT2422-TX PTC TSSOP24 | PT2422-TX.pdf | |
![]() | HEDL-5505-I13 | HEDL-5505-I13 ORIGINAL SMD or Through Hole | HEDL-5505-I13.pdf | |
![]() | LFXP15C-4FN484C-3I | LFXP15C-4FN484C-3I LATTICE SMD or Through Hole | LFXP15C-4FN484C-3I.pdf | |
![]() | 90140-0034 | 90140-0034 MOLEX ORIGINAL | 90140-0034.pdf | |
![]() | TCFGAOJ475M8R | TCFGAOJ475M8R ROHM SMD or Through Hole | TCFGAOJ475M8R.pdf | |
![]() | TMS3475ANL | TMS3475ANL TI DIP | TMS3475ANL.pdf | |
![]() | GG4 | GG4 ORIGINAL SOT23 | GG4.pdf |