창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ5919E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMAJ5913 - 5956, e3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.6V | |
허용 오차 | ±20% | |
전력 - 최대 | 3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 2옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 3V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC(SMAJ) | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMAJ5919E3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ5919E, SMAJ5919E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | MHQ1005PR15HTD25 | 150nH Unshielded Multilayer Inductor 110mA 3 Ohm Max 0402 (1006 Metric) | MHQ1005PR15HTD25.pdf | |
![]() | UPD1251G-E2 | UPD1251G-E2 NEC SOP8 | UPD1251G-E2.pdf | |
![]() | EKMH630LGB123MAA0M | EKMH630LGB123MAA0M NIPPON SMD or Through Hole | EKMH630LGB123MAA0M.pdf | |
![]() | LQW15AN8N2J00D(Murata) | LQW15AN8N2J00D(Murata) ORIGINAL SMD or Through Hole | LQW15AN8N2J00D(Murata).pdf | |
![]() | TSC7652CPD | TSC7652CPD TEL DIP | TSC7652CPD.pdf | |
![]() | DRV8843PWPR | DRV8843PWPR TI 28-HTSSOP | DRV8843PWPR.pdf | |
![]() | CMM21T-670K-N | CMM21T-670K-N CHILISIN SMD | CMM21T-670K-N.pdf | |
![]() | L-LLP00672T21 | L-LLP00672T21 LSI BGA | L-LLP00672T21.pdf | |
![]() | NX3031-B21-HG-1C | NX3031-B21-HG-1C NETXEN BGA | NX3031-B21-HG-1C.pdf | |
![]() | C3206-10 | C3206-10 ORIGINAL SMD or Through Hole | C3206-10.pdf | |
![]() | PT4214C | PT4214C TI-BB DIPMODULE6 | PT4214C.pdf | |
![]() | MSCDRI-73-820M | MSCDRI-73-820M MAGLAYERS SMD | MSCDRI-73-820M.pdf |