창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SMAJ4749E3/TR13 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SMAJ4728A thru SMAJ4751A | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Microsemi Corporation | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 24V | |
허용 오차 | ±10% | |
전력 - 최대 | 2W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 25옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 18.2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
표준 포장 | 7,500 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SMAJ4749E3/TR13 | |
관련 링크 | SMAJ4749E, SMAJ4749E3/TR13 데이터 시트, Microsemi Corporation 에이전트 유통 |
![]() | EEU-FC1C122SB | 1200µF 16V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | EEU-FC1C122SB.pdf | |
![]() | AP836 3R3 J | RES 3.3 OHM 35W 5% TO220 | AP836 3R3 J.pdf | |
![]() | RNA51951BFP | RNA51951BFP RESSANS NAVIS | RNA51951BFP.pdf | |
![]() | HIF3BB-50D-2.54C | HIF3BB-50D-2.54C HRS HIF3BB-50D-2.54C | HIF3BB-50D-2.54C.pdf | |
![]() | MUN2122LT1 | MUN2122LT1 ON SOT-23 | MUN2122LT1.pdf | |
![]() | Le58QL022VC. | Le58QL022VC. Legerity TQFP-44 | Le58QL022VC..pdf | |
![]() | GF-GO7900T-GTXHN-A2 | GF-GO7900T-GTXHN-A2 NVIDIA SMD or Through Hole | GF-GO7900T-GTXHN-A2.pdf | |
![]() | DS1V-S-12V/12VDC | DS1V-S-12V/12VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | DS1V-S-12V/12VDC.pdf | |
![]() | SL1912MP | SL1912MP MITEL SMD or Through Hole | SL1912MP.pdf | |
![]() | UWR-30109 | UWR-30109 DATEL SMD or Through Hole | UWR-30109.pdf | |
![]() | KS555N | KS555N SAMSUNG DIP | KS555N.pdf |