창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SK4R7M100ST | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SK Type | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 알루미늄 커패시터 | |
제조업체 | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | |
계열 | SK | |
포장 | 벌크 | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±20% | |
정격 전압 | 100V | |
등가 직렬 저항(ESR) | 22.59옴 | |
수명 @ 온도 | 2000시간(85°C) | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
분극 | - | |
응용 제품 | 범용 | |
리플 전류 | 50mA | |
임피던스 | - | |
리드 간격 | 0.079"(2.00mm) | |
크기/치수 | 0.197" Dia(5.00mm) | |
높이 - 장착(최대) | 0.433"(11.00mm) | |
표면 실장 면적 크기 | - | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | 레이디얼, Can | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 338-2396 SK4R7M100ST-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SK4R7M100ST | |
관련 링크 | SK4R7M, SK4R7M100ST 데이터 시트, Cornell Dubilier Electronics (CDE) 에이전트 유통 |
![]() | RGL34JHE3/83 | DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213 | RGL34JHE3/83.pdf | |
![]() | MMBZ4693-HE3-08 | DIODE ZENER 7.5V 350MW SOT23-3 | MMBZ4693-HE3-08.pdf | |
![]() | D251N1200B | D251N1200B AEG MODULE | D251N1200B.pdf | |
![]() | MC74LVXT4053DTR2 | MC74LVXT4053DTR2 ON SMD or Through Hole | MC74LVXT4053DTR2.pdf | |
![]() | D1216AATA-6BE | D1216AATA-6BE ORIGINAL TSOP | D1216AATA-6BE.pdf | |
![]() | DS21552 3.3V | DS21552 3.3V DALLAS SMD or Through Hole | DS21552 3.3V.pdf | |
![]() | ST300C14C0 | ST300C14C0 IR/VISHAY SMD or Through Hole | ST300C14C0.pdf | |
![]() | MMBZ5256B KM1 SOT-23 | MMBZ5256B KM1 SOT-23 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMBZ5256B KM1 SOT-23.pdf | |
![]() | C1608CH1E562J | C1608CH1E562J TDK SMD or Through Hole | C1608CH1E562J.pdf | |
![]() | TMP2016AP-10 | TMP2016AP-10 TOSH DIP24 | TMP2016AP-10.pdf | |
![]() | TB31209AFN | TB31209AFN TOSHIBA TSSOP | TB31209AFN.pdf | |
![]() | K64008C1F-VF55T00 | K64008C1F-VF55T00 SAMSUNG SOP | K64008C1F-VF55T00.pdf |