창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SJD127T4G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | - | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | - | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | - | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | - | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | - | |
| 패키지/케이스 | - | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SJD127T4G | |
| 관련 링크 | SJD12, SJD127T4G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
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![]() | 402F320XXCJR | 32MHz ±15ppm 수정 9pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F320XXCJR.pdf | |
![]() | P1812R-682K | 6.8µH Unshielded Inductor 600mA 472 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | P1812R-682K.pdf | |
![]() | 450MXG56M22X25 | 450MXG56M22X25 RUBYCON DIP | 450MXG56M22X25.pdf | |
![]() | FA7700V-A2-TE1 | FA7700V-A2-TE1 FUJITSU MSOP | FA7700V-A2-TE1.pdf | |
![]() | S3529A | S3529A NXP TO-220 | S3529A.pdf | |
![]() | 2SK1119(F) | 2SK1119(F) TOSHIBA SMD or Through Hole | 2SK1119(F).pdf | |
![]() | TIM7179-60 | TIM7179-60 TOSHIBA SMD or Through Hole | TIM7179-60.pdf | |
![]() | NPNHIGH | NPNHIGH NSC ZIP-15 | NPNHIGH.pdf | |
![]() | CAT810RTBI-T10 | CAT810RTBI-T10 CATALYST SOT23-3 | CAT810RTBI-T10.pdf | |
![]() | SOMC-2005-221/331G-1 | SOMC-2005-221/331G-1 DALE SOP20 | SOMC-2005-221/331G-1.pdf | |
![]() | TNCP0J475MTRF | TNCP0J475MTRF HITACHI SMT | TNCP0J475MTRF.pdf |