창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIZ300DT-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIZ300DT | |
| 제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
| 주요제품 | PowerPAIR® | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N 채널(하프브리지) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 11A, 28A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24밀리옴 @ 9.8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 400pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 16.7W, 31W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력WDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-PowerPair® | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIZ300DT-T1-GE3TR SIZ300DTT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIZ300DT-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIZ300DT-, SIZ300DT-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | RCE5C1H390J0A2H03B | 39pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C1H390J0A2H03B.pdf | |
![]() | 445W23S25M00000 | 25MHz ±20ppm 수정 시리즈 40옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W23S25M00000.pdf | |
![]() | CMSZ5225BTR | CMSZ5225BTR Centralsemi SOT-323 | CMSZ5225BTR.pdf | |
![]() | SC3010A | SC3010A MITSUBIS SOP | SC3010A.pdf | |
![]() | 100Y | 100Y ORIGINAL 3225 | 100Y.pdf | |
![]() | MAX4436EUA+T | MAX4436EUA+T MAXIM MSOP8 | MAX4436EUA+T.pdf | |
![]() | HS50-560F | HS50-560F ARCOL SMD or Through Hole | HS50-560F.pdf | |
![]() | RZ2H12 | RZ2H12 RZ DIP-6 | RZ2H12.pdf | |
![]() | D110238-477 | D110238-477 HAR SMD or Through Hole | D110238-477.pdf | |
![]() | ISA1603AM1 | ISA1603AM1 MITSUBIS SC-70 | ISA1603AM1.pdf | |
![]() | L7824CV/7818/7815 | L7824CV/7818/7815 ORIGINAL TO-220 | L7824CV/7818/7815.pdf |