창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT9002AC-33H25EO | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIT9002 Datasheet SIT9002 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT9002 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 220MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | CML | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | -0.50%, 하향 확산 | |
전류 - 공급(최대) | 51mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 10µA | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | SiT9002AC-33H25EO | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT9002AC-33H25EO | |
관련 링크 | SIT9002AC-, SIT9002AC-33H25EO 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
CGA2B3X7S2A102M050BB | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 X7S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B3X7S2A102M050BB.pdf | ||
850F10K | RES CHAS MNT 10K OHM 1% 50W | 850F10K.pdf | ||
W2032BABG-50-F | W2032BABG-50-F SAMSUNG BGA | W2032BABG-50-F.pdf | ||
D65958N7E30 | D65958N7E30 NEC BGA | D65958N7E30.pdf | ||
MAZS0750M 7.5V | MAZS0750M 7.5V Panasonic SOD523 | MAZS0750M 7.5V.pdf | ||
SD0418SA | SD0418SA ORIGINAL SOP-28 | SD0418SA.pdf | ||
IRG4C10K | IRG4C10K IR TO-220 | IRG4C10K.pdf | ||
TOP-T6 | TOP-T6 TOPLED SMD or Through Hole | TOP-T6.pdf | ||
LT10691CS8#TR | LT10691CS8#TR LT SOP-8 | LT10691CS8#TR.pdf | ||
BQ2012SN-D107G4 | BQ2012SN-D107G4 TI/BB SOIC16 | BQ2012SN-D107G4.pdf | ||
MG3170 | MG3170 DENSO DIP | MG3170.pdf | ||
93LC56BXT | 93LC56BXT MICROCHIP SMD or Through Hole | 93LC56BXT.pdf |