창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8208AI-GF-28S-25.000000X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Field Programmable Oscillator SiT8208 Datasheet | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8208 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 25MHz | |
| 기능 | 대기(절전) | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.8V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.098" L x 0.079" W(2.50mm x 2.00mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 1473-1507-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8208AI-GF-28S-25.000000X | |
| 관련 링크 | SIT8208AI-GF-28S, SIT8208AI-GF-28S-25.000000X 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | SMBG16A-M3/52 | TVS DIODE 16VWM 26VC DO-215AA | SMBG16A-M3/52.pdf | |
![]() | SIT8008BIR21-XXS-25.000000D | OSC XO 25MHZ ST | SIT8008BIR21-XXS-25.000000D.pdf | |
![]() | W2A41A100J4T2A | W2A41A100J4T2A AVX SMD | W2A41A100J4T2A.pdf | |
![]() | MX166C1024 | MX166C1024 ORIGINAL SMD or Through Hole | MX166C1024.pdf | |
![]() | 5302/5332 | 5302/5332 ORIGINAL DIP | 5302/5332.pdf | |
![]() | EC | EC ORIGINAL QFN10 | EC.pdf | |
![]() | L1087MP-3.3(N10A) | L1087MP-3.3(N10A) NSC TO223-3 | L1087MP-3.3(N10A).pdf | |
![]() | T729N20TOF | T729N20TOF EUPEC SMD or Through Hole | T729N20TOF.pdf | |
![]() | K5N2866ATD-BQ12 | K5N2866ATD-BQ12 SAMSUNG BGA | K5N2866ATD-BQ12.pdf | |
![]() | EGS226M1ED11TUSB | EGS226M1ED11TUSB SAMXON SMD or Through Hole | EGS226M1ED11TUSB.pdf | |
![]() | EKMG401ETD100MJ16S | EKMG401ETD100MJ16S NIPNCHEMI DIP | EKMG401ETD100MJ16S.pdf | |
![]() | 9250BF-08 | 9250BF-08 ICS SSOP | 9250BF-08.pdf |