창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8009AI-12-33S-125.000000E | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8009 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | * | |
부품 현황 | 신제품 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8009AI-12-33S-125.000000E | |
관련 링크 | SIT8009AI-12-33S, SIT8009AI-12-33S-125.000000E 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
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![]() | VLS252012HBX-2R2M-1 | 2.2µH Shielded Wirewound Inductor 2.3A 102 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | VLS252012HBX-2R2M-1.pdf | |
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![]() | CPW0710R00GB14 | RES 10 OHM 7W 2% AXIAL | CPW0710R00GB14.pdf | |
![]() | SFH615AA-X071T | SFH615AA-X071T SIEMENS SOIC-4 | SFH615AA-X071T.pdf | |
![]() | 71JL064HA08AW11 | 71JL064HA08AW11 Spansion BGA | 71JL064HA08AW11.pdf | |
![]() | P181 GB | P181 GB TOS DIP | P181 GB.pdf | |
![]() | 618218CR2LITIO3V | 618218CR2LITIO3V ORIGINAL SMD or Through Hole | 618218CR2LITIO3V.pdf | |
![]() | 09M17 | 09M17 MOT DIP-20 | 09M17.pdf | |
![]() | 2N6920A | 2N6920A MOT TO-3 | 2N6920A.pdf | |
![]() | RLZJ-TE-11-3.6B | RLZJ-TE-11-3.6B ROHM SMD or Through Hole | RLZJ-TE-11-3.6B.pdf | |
![]() | K7M161825A-QI75 | K7M161825A-QI75 SAMSUNG TQFP | K7M161825A-QI75.pdf |