창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT8008BIF32-XXE-8.000000X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT8008B | |
| PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT8008B | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS(실리콘) | |
| 주파수 | 8MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS | |
| 전압 - 공급 | 2.5 V ~ 3.3 V | |
| 주파수 안정도 | ±25ppm | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
| 전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.2mA | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | SIT8008BIF-32-XXE-8.000000X | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT8008BIF32-XXE-8.000000X | |
| 관련 링크 | SIT8008BIF32-XX, SIT8008BIF32-XXE-8.000000X 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | TS073F33IDT | 7.3728MHz ±30ppm 수정 18pF 80옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS073F33IDT.pdf | |
![]() | DDZ24CS-7 | DIODE ZENER 24V 200MW SOD323 | DDZ24CS-7.pdf | |
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![]() | X02056-011.012 | X02056-011.012 ORIGINAL BGA | X02056-011.012.pdf | |
![]() | BSR30.115 | BSR30.115 NXP SMD or Through Hole | BSR30.115.pdf | |
![]() | XMC2192PQ010 | XMC2192PQ010 MOT TQFP | XMC2192PQ010.pdf | |
![]() | 2SB513A. | 2SB513A. NXP/FSC TO-220 | 2SB513A..pdf | |
![]() | 171839-02 | 171839-02 ORIGINAL DIP-8L | 171839-02.pdf | |
![]() | EP20K60EQC208-3N | EP20K60EQC208-3N ALTERA PQFP | EP20K60EQC208-3N.pdf | |
![]() | MC9S12KG128MPV | MC9S12KG128MPV MOT TQFP-112 | MC9S12KG128MPV.pdf | |
![]() | K9G8G08UOA-IIB0 | K9G8G08UOA-IIB0 SAMSUNG BGA | K9G8G08UOA-IIB0.pdf |