창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008AI-22-18E-37.125000G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet | |
PCN 포장 | TR Pkg Update 27/Jul/2016 | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
주파수 | 37.125MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±25ppm | |
작동 온도 | -40°C ~ 85°C | |
전류 - 공급(최대) | 3.9mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 3.8mA | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 1473-1155-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008AI-22-18E-37.125000G | |
관련 링크 | SIT8008AI-22-18E, SIT8008AI-22-18E-37.125000G 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
NZ9F15VT5G | DIODE ZENER 15V 200MW SOD923 | NZ9F15VT5G.pdf | ||
MLG1005S5N6STD25 | 5.6nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 250 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MLG1005S5N6STD25.pdf | ||
ERJ-PA3F5102V | RES SMD 51K OHM 1% 1/4W 0603 | ERJ-PA3F5102V.pdf | ||
3120F321H7T1W01D14A | 3120F321H7T1W01D14A ETA SMD or Through Hole | 3120F321H7T1W01D14A.pdf | ||
D75116GFF42 | D75116GFF42 NEC QFP | D75116GFF42.pdf | ||
B1184-P | B1184-P ORIGINAL TO-252 | B1184-P .pdf | ||
R144EFX-R6636-12 | R144EFX-R6636-12 ROCKWELL PLCC68 | R144EFX-R6636-12.pdf | ||
SC2002ASLBXAGSG | SC2002ASLBXAGSG SUNLIKE SMD or Through Hole | SC2002ASLBXAGSG.pdf | ||
TAJE476K035RNJV | TAJE476K035RNJV AVX NA | TAJE476K035RNJV.pdf | ||
IM38510/34101BCA | IM38510/34101BCA TEXAS SMD or Through Hole | IM38510/34101BCA.pdf | ||
FX4B1-20P-1.27SV(71) | FX4B1-20P-1.27SV(71) HIROSE SMD or Through Hole | FX4B1-20P-1.27SV(71).pdf | ||
HN58C65P | HN58C65P ORIGINAL DIP | HN58C65P.pdf |