창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT8008ACT3-18S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT8008 Datasheet SIT8008 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT8008 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 110MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 1.8V | |
주파수 안정도 | ±20ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 3.9mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 1.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT8008ACT3-18S | |
관련 링크 | SIT8008AC, SIT8008ACT3-18S 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
![]() | TH3C106M025E1100 | 10µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2312 (6032 Metric) 1.1 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | TH3C106M025E1100.pdf | |
![]() | PS7340T-1A | PS7340T-1A NEC SOP6 | PS7340T-1A.pdf | |
![]() | GP1L54VJ000F | GP1L54VJ000F SHARP DIP | GP1L54VJ000F.pdf | |
![]() | MSP430F2471IPM | MSP430F2471IPM TI SMD | MSP430F2471IPM.pdf | |
![]() | TA7666BP | TA7666BP TOSHIBA DIP-16 | TA7666BP.pdf | |
![]() | FM27C512Q90 | FM27C512Q90 FSC DIP | FM27C512Q90.pdf | |
![]() | SY2-0G685M-RA | SY2-0G685M-RA ELNA SMD or Through Hole | SY2-0G685M-RA.pdf | |
![]() | BFP181TRW-GS08 | BFP181TRW-GS08 VISHAY SOT-343 | BFP181TRW-GS08.pdf | |
![]() | XC3030L-8 VQ100C | XC3030L-8 VQ100C ORIGINAL QFP | XC3030L-8 VQ100C.pdf | |
![]() | RD2A2BY222G-T2 | RD2A2BY222G-T2 ORIGINAL SMD or Through Hole | RD2A2BY222G-T2.pdf | |
![]() | 21008092 | 21008092 JDSU SMD or Through Hole | 21008092.pdf | |
![]() | LKG1C822MESYBK | LKG1C822MESYBK NICHICON DIP | LKG1C822MESYBK.pdf |