창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AC-C-25EX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | 활성화/비활성화 | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.5V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.197" L x 0.126" W(5.00mm x 3.20mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AC-C-25EX | |
| 관련 링크 | SIT3808AC, SIT3808AC-C-25EX 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | 0325003.H | FUSE CERAMIC 3A 250VAC 3AB 3AG | 0325003.H.pdf | |
![]() | RCP2512W16R0JS6 | RES SMD 16 OHM 5% 22W 2512 | RCP2512W16R0JS6.pdf | |
![]() | MBB02070C1249DC100 | RES 12.4 OHM 0.6W 0.5% AXIAL | MBB02070C1249DC100.pdf | |
![]() | PRC200270K/221K | PRC200270K/221K CMD SMD or Through Hole | PRC200270K/221K.pdf | |
![]() | LT1965EDD-1.8#PBF | LT1965EDD-1.8#PBF LT SMD or Through Hole | LT1965EDD-1.8#PBF.pdf | |
![]() | CSC3N220000DCVRS00 15PF | CSC3N220000DCVRS00 15PF ORIGINAL PBF | CSC3N220000DCVRS00 15PF.pdf | |
![]() | S3C8075X19-ATB5 | S3C8075X19-ATB5 samsung DIP | S3C8075X19-ATB5.pdf | |
![]() | SLE6A4 | SLE6A4 FUJISOKU SMD or Through Hole | SLE6A4.pdf | |
![]() | B57621-C473-K62 | B57621-C473-K62 EPCOS SMD | B57621-C473-K62.pdf | |
![]() | EKMH100LGB333MA50M | EKMH100LGB333MA50M NIPPON DIP | EKMH100LGB333MA50M.pdf | |
![]() | INDUCTOR | INDUCTOR ABCELEC SMD | INDUCTOR.pdf | |
![]() | GP1S59J000F | GP1S59J000F SHARP DIP-4 | GP1S59J000F.pdf |