창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AC-2-28NZ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
| 종류 | 수정 및 발진기 | |
| 제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
| 제조업체 | SiTIME | |
| 계열 | SiT3808 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 유형 | MEMS VCXO | |
| 프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
| 가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
| 기능 | - | |
| 출력 | LVCMOS, LVTTL | |
| 전압 - 공급 | 2.8V | |
| 주파수 안정도 | ±10ppm | |
| 주파수 안정도(총) | - | |
| 작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
| 확산 대역 대역폭 | - | |
| 전류 - 공급(최대) | 33mA | |
| 등급 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 | 0.031"(0.80mm) | |
| 전류 - 공급(비활성화)(최대) | - | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIT3808AC-2-28NZ | |
| 관련 링크 | SIT3808AC, SIT3808AC-2-28NZ 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 | |
![]() | C2012X7R1V475M125AE | 4.7µF 35V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C2012X7R1V475M125AE.pdf | |
![]() | ERA-6AEB9093V | RES SMD 909K OHM 0.1% 1/8W 0805 | ERA-6AEB9093V.pdf | |
![]() | CR1206-FX-3002ELF | RES SMD 30K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-3002ELF.pdf | |
![]() | BJH2468DD | BJH2468DD ORIGINAL SMD or Through Hole | BJH2468DD.pdf | |
![]() | TC74HC592AF | TC74HC592AF TOS SOP16 | TC74HC592AF.pdf | |
![]() | SR591C333KARTR2 | SR591C333KARTR2 AVX/KYOCERA SMD or Through Hole | SR591C333KARTR2.pdf | |
![]() | AVN311NR | AVN311NR IDECCORPORATION SMD or Through Hole | AVN311NR.pdf | |
![]() | MX26C2000B | MX26C2000B TCC DIP32 | MX26C2000B.pdf | |
![]() | N28F001BXB70 | N28F001BXB70 INTEL PLCC-32 | N28F001BXB70.pdf | |
![]() | EMB9--T2R-Z11 | EMB9--T2R-Z11 ROHM SMD or Through Hole | EMB9--T2R-Z11.pdf | |
![]() | SPHWWTS8N105EBTOH3 | SPHWWTS8N105EBTOH3 SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPHWWTS8N105EBTOH3.pdf |