창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT3808AC-2-25EM | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT3808 Datasheet SIT3808 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT3808 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
유형 | MEMS VCXO | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 1MHz ~ 80MHz | |
기능 | 활성화/비활성화 | |
출력 | LVCMOS, LVTTL | |
전압 - 공급 | 2.5V | |
주파수 안정도 | ±10ppm | |
주파수 안정도(총) | - | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 33mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
높이 | 0.031"(0.80mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 70µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT3808AC-2-25EM | |
관련 링크 | SIT3808AC, SIT3808AC-2-25EM 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
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![]() | 416F40623IAT | 40.61MHz ±20ppm 수정 10pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40623IAT.pdf | |
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![]() | 1008-183J | 18µH Unshielded Inductor 173mA 5 Ohm Max Nonstandard | 1008-183J.pdf | |
![]() | BTB08600C | BTB08600C STMICROELECTRONICSSEMI NA | BTB08600C.pdf | |
![]() | TC58100BFT | TC58100BFT TOSHIBA TSOP | TC58100BFT.pdf | |
![]() | 4R6D30A-050BHX | 4R6D30A-050BHX FUJI SMD or Through Hole | 4R6D30A-050BHX.pdf | |
![]() | MM3488C84RRE | MM3488C84RRE MITSUMI SSON-4B | MM3488C84RRE.pdf | |
![]() | 8859CRNG5HC4(A25V04-TO) | 8859CRNG5HC4(A25V04-TO) TCL DIP-64 | 8859CRNG5HC4(A25V04-TO).pdf | |
![]() | CS51414E | CS51414E TI SOP | CS51414E.pdf | |
![]() | D8000020A1 | D8000020A1 ORIGINAL PLCC | D8000020A1.pdf | |
![]() | H5MS2562JFR-L3M | H5MS2562JFR-L3M HYNIX FBGA | H5MS2562JFR-L3M.pdf |