창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIT1602ACT8-28S | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiT1602 Datasheet SIT1602 Part Number Guide | |
종류 | 수정 및 발진기 | |
제품군 | 프로그래밍 가능 발진기 | |
제조업체 | SiTIME | |
계열 | SiT1602 | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
유형 | MEMS(실리콘) | |
프로그래밍 가능 유형 | Digi-Key에서 프로그램(웹주문서에 해당 주파수대 기입요) | |
가용 주파수 범위 | 3.75MHz ~ 77.76MHz | |
기능 | 대기 | |
출력 | HCMOS, LVCMOS | |
전압 - 공급 | 2.8V | |
주파수 안정도 | - | |
주파수 안정도(총) | ±20ppm, ±25ppm, ±50ppm | |
작동 온도 | -20°C ~ 70°C | |
확산 대역 대역폭 | - | |
전류 - 공급(최대) | 4.5mA | |
등급 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | |
크기/치수 | 0.276" L x 0.197" W(7.00mm x 5.00mm) | |
높이 | 0.039"(1.00mm) | |
전류 - 공급(비활성화)(최대) | 4.3µA | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIT1602ACT8-28S | |
관련 링크 | SIT1602AC, SIT1602ACT8-28S 데이터 시트, SiTIME 에이전트 유통 |
672D276F200EN4D | 27µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can | 672D276F200EN4D.pdf | ||
RT0603DRE072K67L | RES SMD 2.67KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRE072K67L.pdf | ||
20020316-G041B01LF | 20020316-G041B01LF FCIELX SMD or Through Hole | 20020316-G041B01LF.pdf | ||
NRSG121M100V12.5x20F | NRSG121M100V12.5x20F NIC DIP | NRSG121M100V12.5x20F.pdf | ||
2SD2036 | 2SD2036 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD2036.pdf | ||
TDA8501/N1 | TDA8501/N1 NXP/PH SMD or Through Hole | TDA8501/N1.pdf | ||
E3B2-D2M4-US-N-C | E3B2-D2M4-US-N-C Omron SMD or Through Hole | E3B2-D2M4-US-N-C.pdf | ||
VCX16287 | VCX16287 FAI TSSOP | VCX16287.pdf | ||
SA514097-01 | SA514097-01 ORIGINAL SMD or Through Hole | SA514097-01.pdf | ||
LW C9EN-F0GA-6-0-500-R18-Z | LW C9EN-F0GA-6-0-500-R18-Z OSRAM SMD | LW C9EN-F0GA-6-0-500-R18-Z.pdf | ||
2SD386AE | 2SD386AE TOSHIBA DIP | 2SD386AE.pdf | ||
ISL53562IAR5261 | ISL53562IAR5261 INTERSIL SSOP-24 | ISL53562IAR5261.pdf |