창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SISS40DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SISS40DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | ThunderFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36.5A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 21m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 24nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 845pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8S | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8S | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SISS40DN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SISS40DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SISS40DN-, SISS40DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
1331-102K | 1µH Shielded Inductor 385mA 300 mOhm Max Nonstandard | 1331-102K.pdf | ||
RMCF2010FT33K2 | RES SMD 33.2K OHM 1% 3/4W 2010 | RMCF2010FT33K2.pdf | ||
RT0603DRD07124RL | RES SMD 124 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07124RL.pdf | ||
11AA02E48 | 11AA02E48 ORIGINAL SMD or Through Hole | 11AA02E48.pdf | ||
SBRA401T3 | SBRA401T3 ON DO-214 | SBRA401T3.pdf | ||
L4931CD27-TRY | L4931CD27-TRY ST SO-8 | L4931CD27-TRY.pdf | ||
TDK78Q2120C-64CGT/F | TDK78Q2120C-64CGT/F TDK QFP | TDK78Q2120C-64CGT/F.pdf | ||
UP1504SSU8 | UP1504SSU8 UPI N A | UP1504SSU8.pdf | ||
SG-8002CE 22.1184MHZ | SG-8002CE 22.1184MHZ ORIGINAL SMD | SG-8002CE 22.1184MHZ.pdf | ||
SMP1204-35 | SMP1204-35 ORIGINAL SOT-23 | SMP1204-35.pdf | ||
IMS1403S35M | IMS1403S35M ORIGINAL DIP-20 | IMS1403S35M.pdf | ||
IT8212F CXS | IT8212F CXS ITE QFP | IT8212F CXS.pdf |