창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SISA18DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiSA18DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38.3A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 19.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SISA18DN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SISA18DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SISA18DN-, SISA18DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | BFC241962204 | Film Capacitor Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.492" L x 0.236" W (12.50mm x 6.00mm) | BFC241962204.pdf | |
![]() | RSF1JB430R | RES MO 1W 430 OHM 5% AXIAL | RSF1JB430R.pdf | |
![]() | FS88012B-001 | FS88012B-001 FUJIN SOT-353 | FS88012B-001.pdf | |
![]() | NGLEDTS-140-6-G-AC | NGLEDTS-140-6-G-AC ORIGINAL SMD or Through Hole | NGLEDTS-140-6-G-AC.pdf | |
![]() | HP0634 | HP0634 HDL DIP4 | HP0634.pdf | |
![]() | MEN15-S5B | MEN15-S5B YUNJIE DIP | MEN15-S5B.pdf | |
![]() | PEX8515-AC25BI | PEX8515-AC25BI PLX BGA | PEX8515-AC25BI.pdf | |
![]() | TNETV1055ZDWE1 | TNETV1055ZDWE1 TEXASINSTRUMENTS ORIGINAL | TNETV1055ZDWE1.pdf | |
![]() | YD02A IC005262 | YD02A IC005262 YD SIP9 | YD02A IC005262.pdf | |
![]() | SDR21-470M-LF | SDR21-470M-LF ORIGINAL NA | SDR21-470M-LF.pdf | |
![]() | BUS-65117 | BUS-65117 DDC SMD or Through Hole | BUS-65117.pdf |