창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS990DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIS990DN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12.1A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 250pF @ 50V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 이중 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS990DN-T1-GE3TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIS990DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS990DN-, SIS990DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | FS-20SCBE25R00JE | RES 25 OHM 20W 5% WW RAD | FS-20SCBE25R00JE.pdf | |
![]() | SLP3-300-100-F | SLP3-300-100-F BIVAR SMD or Through Hole | SLP3-300-100-F.pdf | |
![]() | 2SC2238 | 2SC2238 FSC TO-220 | 2SC2238.pdf | |
![]() | PLFC0755P-120A | PLFC0755P-120A NEC SMD or Through Hole | PLFC0755P-120A.pdf | |
![]() | RT9161A-33 | RT9161A-33 RICHTEK SMD or Through Hole | RT9161A-33.pdf | |
![]() | HT-30B | HT-30B WM NEW | HT-30B.pdf | |
![]() | S558-5999-A6 | S558-5999-A6 BEL SMD or Through Hole | S558-5999-A6.pdf | |
![]() | LTL-30EG | LTL-30EG LITEON SMD or Through Hole | LTL-30EG.pdf | |
![]() | C1005NP0508CGT | C1005NP0508CGT DARFON PBFree | C1005NP0508CGT.pdf | |
![]() | DDW-WJG-X4X6-RJXW | DDW-WJG-X4X6-RJXW DOMINANT SMD or Through Hole | DDW-WJG-X4X6-RJXW.pdf | |
![]() | 53C400 | 53C400 NCR PLCC | 53C400.pdf |