창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS890DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS890DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 23.5m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 29nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 802pF @ 50V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS890DN-T1-GE3TR SIS890DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS890DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS890DN-, SIS890DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
DEO200M250 | FUSE CRTRDGE 200A 415VAC CYLINDR | DEO200M250.pdf | ||
0251001.PF010L | FUSE BRD MNT 1A 125VAC/VDC AXIAL | 0251001.PF010L.pdf | ||
AORN1001AT5 | RES NETWORK 4 RES 1K OHM 8SOIC | AORN1001AT5.pdf | ||
AS3909-BQTM | RFID Reader IC 13.56MHz ISO 14443, NFC SPI 2.4 V ~ 3.6 V 32-UFQFN Exposed Pad | AS3909-BQTM.pdf | ||
K514F | K514F NEC TO92S | K514F.pdf | ||
K88( C )-T3 | K88( C )-T3 NEC SMD or Through Hole | K88( C )-T3.pdf | ||
ADC0831CN | ADC0831CN NS DIP-8 | ADC0831CN.pdf | ||
TC428IJG | TC428IJG TELCOM CDIP8 | TC428IJG.pdf | ||
TLP150CJ | TLP150CJ EmersonNetworkPower SMD or Through Hole | TLP150CJ.pdf | ||
ICI043A | ICI043A GENERALPL SMD or Through Hole | ICI043A.pdf | ||
M82C51A-2 | M82C51A-2 OKI DIP | M82C51A-2 .pdf | ||
MC34060DR2G | MC34060DR2G ON SOP-8 | MC34060DR2G.pdf |