창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS454DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS454DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 53nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS454DN-T1-GE3TR SIS454DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS454DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS454DN-, SIS454DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DCM-12 | FUSE CRTRDGE 12A 600VAC/VDC 5AG | DCM-12.pdf | |
![]() | 445C32J27M00000 | 27MHz ±30ppm 수정 9pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C32J27M00000.pdf | |
![]() | B82793C105N265 | 1mH @ 100kHz 2 Line Common Mode Choke Surface Mount 700mA DCR 140 mOhm (Typ) | B82793C105N265.pdf | |
![]() | AA0402FR-07287KL | RES SMD 287K OHM 1% 1/16W 0402 | AA0402FR-07287KL.pdf | |
![]() | AA1218FK-0730K9L | RES SMD 30.9K OHM 1W 1812 WIDE | AA1218FK-0730K9L.pdf | |
![]() | Y162716K2000Q15R | RES SMD 16.2KOHM 0.02% 1/2W 2010 | Y162716K2000Q15R.pdf | |
![]() | 8762GED | 8762GED ORIGINAL SOP-8 | 8762GED.pdf | |
![]() | 2SA1242Y | 2SA1242Y TOSHIBA TO-251 | 2SA1242Y.pdf | |
![]() | DF3AA160 | DF3AA160 ORIGINAL SMD or Through Hole | DF3AA160.pdf | |
![]() | JPS-2-1( | JPS-2-1( MINI SMD or Through Hole | JPS-2-1(.pdf | |
![]() | ADV1848KP | ADV1848KP AD PLCC | ADV1848KP.pdf |