Vishay BC Components SIS452DN-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIS452DN-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 12V 35A 1212-8 PPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIS452DN-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 560.43187
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIS452DN-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIS452DN-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIS452DN-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIS452DN-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIS452DN-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIS452DN-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SiS452DN | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.25m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 41nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1700pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 52W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | SIS452DN-T1-GE3TR SIS452DNT1GE3 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIS452DN-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIS452DN-, SIS452DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIS452DN-T1-GE3 의 관련 제품
 | SIT9002AI-X33XXXXX000.FP000 | 1MHz ~ 220MHz CML, HCSL, LVDS, LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V, 2.5 V ~ 3.3 V 85mA Enable/Disable, Standby | SIT9002AI-X33XXXXX000.FP000.pdf | |
 | 1N5263 | DIODE ZENER 56V 500MW DO35 | 1N5263.pdf | |
.jpg) | B82422A1182J100 | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 290mA 600 mOhm Max 2-SMD | B82422A1182J100.pdf | |
| ELC-18E101L | 100µH Shielded Wirewound Inductor 3A 44 mOhm Radial | ELC-18E101L.pdf | |
| UMG3N G3 | UMG3N G3 ORIGINAL SMD or Through Hole | UMG3N G3.pdf | |
| TPS61160DRVR G4 | TPS61160DRVR G4 TI QFN | TPS61160DRVR G4.pdf | |
| D12100365K1P | D12100365K1P VIS SMD or Through Hole | D12100365K1P.pdf | |
| ADG528ASQ/883 | ADG528ASQ/883 AD DIP | ADG528ASQ/883.pdf | |
| DMC80C49-027 | DMC80C49-027 INTEL DIP40 | DMC80C49-027.pdf | |
| SMV4710A-LF | SMV4710A-LF Z-COM SMD or Through Hole | SMV4710A-LF.pdf | |
| CRT9028-000 | CRT9028-000 SMC/SMSC DIP40 | CRT9028-000.pdf | |
| TA8225N | TA8225N TOS ZIP | TA8225N.pdf |