창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS430DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS430DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1600pF @ 12.5V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS430DN-T1-GE3-ND SIS430DN-T1-GE3TR SIS430DNT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS430DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS430DN-, SIS430DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EKY-500ELL271MJ20S | 270µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 7000 Hrs @ 105°C | EKY-500ELL271MJ20S.pdf | ||
199D686X0016E6B1E3 | 68µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V Radial 0.339" Dia (8.60mm) | 199D686X0016E6B1E3.pdf | ||
SMCJ6.0AHE3/57T | TVS DIODE 6VWM 10.3VC SMC | SMCJ6.0AHE3/57T.pdf | ||
HLMP-Q100-N0031 | Red 637nm LED Indication - Discrete 1.8V 2-SMD, Z-Bend | HLMP-Q100-N0031.pdf | ||
H815K4BDA | RES 15.4K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H815K4BDA.pdf | ||
P0300-EB | P0300-EB Littelfus TO-92 | P0300-EB.pdf | ||
LMX2326 | LMX2326 NSC DIP-8 | LMX2326.pdf | ||
T494X337M010AS4822 | T494X337M010AS4822 ORIGINAL C-TT-CHIP-330UF-10V | T494X337M010AS4822.pdf | ||
TPS2022PE4 | TPS2022PE4 ORIGINAL SMD or Through Hole | TPS2022PE4.pdf | ||
CY7C1399-15ZC | CY7C1399-15ZC CY TSOP | CY7C1399-15ZC .pdf | ||
UA776CT | UA776CT ORIGINAL CAN | UA776CT.pdf | ||
S281 | S281 ORIGINAL SMD or Through Hole | S281.pdf |