창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS415DNT-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS415DNT | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 Multiple Devices 11/Dec/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 180nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5460pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS415DNT-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS415DNT-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS415DNT, SIS415DNT-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ECQ-V1H103JL9 | 10000pF Film Capacitor 50V Polyester, Metallized - Stacked Radial 0.287" L x 0.126" W (7.30mm x 3.20mm) | ECQ-V1H103JL9.pdf | ||
ERJ-S1TF27R0U | RES SMD 27 OHM 1% 1W 2512 | ERJ-S1TF27R0U.pdf | ||
RCP0603B1K30JEA | RES SMD 1.3K OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B1K30JEA.pdf | ||
HMC-C078 | RF Amplifier IC Radar 2GHz ~ 20GHz Module | HMC-C078.pdf | ||
7201MD9V3BE | 7201MD9V3BE C&K SMD or Through Hole | 7201MD9V3BE.pdf | ||
450V70 | 450V70 SENJU SMD or Through Hole | 450V70.pdf | ||
218S2EBNA44/IXP150 | 218S2EBNA44/IXP150 ATI BGA | 218S2EBNA44/IXP150.pdf | ||
YR-T201 | YR-T201 ORIGINAL SMD or Through Hole | YR-T201.pdf | ||
DAC700KH BH | DAC700KH BH BB DIP | DAC700KH BH.pdf | ||
SPG8651B86X | SPG8651B86X ORIGINAL SMD or Through Hole | SPG8651B86X.pdf | ||
FF200R12KT3/KT4 | FF200R12KT3/KT4 INF SMD or Through Hole | FF200R12KT3/KT4.pdf |