창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIS413DN-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIS413DN | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Addition 22/Jun/2015 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.4m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 110nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4280pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 52W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® 1212-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® 1212-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIS413DN-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIS413DN-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIS413DN-, SIS413DN-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT8208AI-G3-25E-30.000000Y | OSC XO 2.5V 30MHZ OE | SIT8208AI-G3-25E-30.000000Y.pdf | ||
MC1413BDR2G | TRANS 7NPN DARL 50V 0.5A 16SO | MC1413BDR2G.pdf | ||
LY3-AC200/220 | General Purpose Relay 3PDT (3 Form C) 220VAC Coil Socketable | LY3-AC200/220.pdf | ||
ESR10EZPJ394 | RES SMD 390K OHM 5% 0.4W 0805 | ESR10EZPJ394.pdf | ||
M3127 | M3127 ACER PLCC | M3127.pdf | ||
L17DCFRA37S | L17DCFRA37S AMPHENOL original pack | L17DCFRA37S.pdf | ||
JANTX1N4117-1 | JANTX1N4117-1 Microsem SMD or Through Hole | JANTX1N4117-1.pdf | ||
M30622SAFP-T00L | M30622SAFP-T00L MIT QFP | M30622SAFP-T00L.pdf | ||
NJM78L18UA-TE1 | NJM78L18UA-TE1 ORIGINAL SOT-89 | NJM78L18UA-TE1 .pdf | ||
216DP8ANA12H M9+XC | 216DP8ANA12H M9+XC ATI BGA | 216DP8ANA12H M9+XC.pdf | ||
WL1251PM | WL1251PM TI BGA | WL1251PM.pdf | ||
UHC408-883 | UHC408-883 ALLEGRO DIP | UHC408-883.pdf |