창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR880DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR880DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
주요제품 | ThunderFETs | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.9m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 74nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2440pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR880DP-T1-GE3TR SIR880DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR880DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR880DP-, SIR880DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
FG28C0G2A6R8DNT06 | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FG28C0G2A6R8DNT06.pdf | ||
SQCAEM390FAJWE | 39pF 150V 세라믹 커패시터 M 0605(1613 미터법) 0.055" L x 0.055" W(1.40mm x 1.40mm) | SQCAEM390FAJWE.pdf | ||
HS10 2K F | RES CHAS MNT 2K OHM 1% 10W | HS10 2K F.pdf | ||
RN73C1J143RBTDF | RES SMD 143 OHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J143RBTDF.pdf | ||
PE144BV | PE144BV ORIGINAL QFP | PE144BV.pdf | ||
KOKEY102 | KOKEY102 E-Switch SMD or Through Hole | KOKEY102.pdf | ||
0253.375NRT1L | 0253.375NRT1L littelfuse SMD or Through Hole | 0253.375NRT1L.pdf | ||
50V.2.2UF | 50V.2.2UF ORIGINAL SMD or Through Hole | 50V.2.2UF.pdf | ||
ZC94915P | ZC94915P MOT DIP28 | ZC94915P.pdf | ||
DECT-RFM-U | DECT-RFM-U Other SMD or Through Hole | DECT-RFM-U.pdf | ||
1SMA5944B3TG | 1SMA5944B3TG ON SMA | 1SMA5944B3TG.pdf | ||
SSC032GH-F-DD | SSC032GH-F-DD PREC SMD or Through Hole | SSC032GH-F-DD.pdf |