창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR872DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR872DP-T1-GE3 | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53.7A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 18m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2130pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR872DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR872DP-, SIR872DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
AD7180BST | AD7180BST AD QFP | AD7180BST.pdf | ||
MSG100Q41A | MSG100Q41A TOSHIBA SMD or Through Hole | MSG100Q41A.pdf | ||
HY5DW573222 | HY5DW573222 HY BGA | HY5DW573222.pdf | ||
FHP3131IL6XCT | FHP3131IL6XCT MALLORY RESMF47R-511 | FHP3131IL6XCT.pdf | ||
HT1869V+PC1 | HT1869V+PC1 SOUNDPRO QFP- | HT1869V+PC1.pdf | ||
SAL086(INV.#00002503) | SAL086(INV.#00002503) ORIGINAL SMD or Through Hole | SAL086(INV.#00002503).pdf | ||
12025HB | 12025HB ORIGINAL SMD or Through Hole | 12025HB.pdf | ||
TR250-120-X | TR250-120-X Raychem Polyswitch | TR250-120-X.pdf | ||
SPX3819M5-L-5-0 TEL:82766440 | SPX3819M5-L-5-0 TEL:82766440 SIPEX SOT23-5 | SPX3819M5-L-5-0 TEL:82766440.pdf | ||
SYR-Z4302 | SYR-Z4302 SK SQL-14 | SYR-Z4302.pdf | ||
EPM-10-V-T/R | EPM-10-V-T/R DIPTRONICS DIP | EPM-10-V-T/R.pdf | ||
D78058GC975 | D78058GC975 NEC QFP-80 | D78058GC975.pdf |