창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR850DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR850DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1657 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 30nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1120pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 41.7W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR850DP-T1-GE3TR SIR850DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR850DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR850DP-, SIR850DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
ZWS75BAF48 | AC/DC CONVERTER 48V 75W | ZWS75BAF48.pdf | ||
PE1206JRM070R02L | RES SMD 0.02 OHM 5% 1/4W 1206 | PE1206JRM070R02L.pdf | ||
CRCW060356K2FKEAHP | RES SMD 56.2K OHM 1% 1/4W 0603 | CRCW060356K2FKEAHP.pdf | ||
PPT0300DXW2VB | Pressure Sensor ±300 PSI (±2068.43 kPa) Differential Female - 1/8" (3.18mm) Swagelok™, Male - 0.13" (3.18mm) Tube 0 V ~ 5 V Module Cube | PPT0300DXW2VB.pdf | ||
PMBT2222A-PH | PMBT2222A-PH ORIGINAL SMD or Through Hole | PMBT2222A-PH.pdf | ||
Si2107-D-FM | Si2107-D-FM ORIGINAL QFN44 | Si2107-D-FM.pdf | ||
D-B120-13-F | D-B120-13-F DIODES SMD or Through Hole | D-B120-13-F.pdf | ||
N312A | N312A HARRIS SOP-8 | N312A.pdf | ||
LCN1206T-22NJ-S | LCN1206T-22NJ-S ORIGINAL SMD | LCN1206T-22NJ-S.pdf | ||
CN61035N | CN61035N S DIP | CN61035N.pdf | ||
LDEPE2220JA5N00 | LDEPE2220JA5N00 ARCOTRONI SMD | LDEPE2220JA5N00.pdf |