창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR826ADP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SiR826ADP | |
애플리케이션 노트 | Power MOSFET Basics: Understanding the Turn-On Process | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 86nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR826ADP-T1-GE3TR SIR826ADPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR826ADP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR826ADP, SIR826ADP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
EKXJ161ELL471MMP1S | 470µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | EKXJ161ELL471MMP1S.pdf | ||
ADL5519-EVALZ | EVALUATION BOARD FOR ADL5519 | ADL5519-EVALZ.pdf | ||
LH0024H/883Q | LH0024H/883Q NS CAN | LH0024H/883Q.pdf | ||
TIP32C(ROHS) | TIP32C(ROHS) FSC/SAM TO-220 | TIP32C(ROHS).pdf | ||
MT4C4M4A1TG-5 | MT4C4M4A1TG-5 MICRON TSOP | MT4C4M4A1TG-5.pdf | ||
0145+ | 0145+ Pctel XC9116B02AMR | 0145+.pdf | ||
EM080 | EM080 KEYEBCE DIP | EM080.pdf | ||
SN75107BNSRG4 | SN75107BNSRG4 TI SOIC16 | SN75107BNSRG4.pdf | ||
FSM20C | FSM20C ORIGINAL SMD or Through Hole | FSM20C.pdf | ||
SU390 | SU390 HFO TO-247 | SU390.pdf | ||
K3N6C421LE-DC12000 | K3N6C421LE-DC12000 SAMSUNG DIP | K3N6C421LE-DC12000.pdf | ||
88CH47F07-5GE | 88CH47F07-5GE ST SMD or Through Hole | 88CH47F07-5GE.pdf |