창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR818DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR818DP-T1-GE3 | |
제품 교육 모듈 | 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.8m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3660pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 69W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR818DP-T1-GE3-ND SIR818DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR818DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR818DP-, SIR818DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
Y2123270R000T9L | RES SMD 270 OHM 0.01% 8W TO220-4 | Y2123270R000T9L.pdf | ||
NFR2500003300JR500 | RES 330 OHM 1/3W 5% AXIAL | NFR2500003300JR500.pdf | ||
MAX232ECPE/EEPE | MAX232ECPE/EEPE MAX DIP16 | MAX232ECPE/EEPE.pdf | ||
MAX8730E | MAX8730E MAX SMD or Through Hole | MAX8730E.pdf | ||
WP90022L13T | WP90022L13T FSC TO92 | WP90022L13T.pdf | ||
NT7166FG-00012 | NT7166FG-00012 NOVATEK SMD or Through Hole | NT7166FG-00012.pdf | ||
TC3W02F-TE12L | TC3W02F-TE12L TOSHIBA SOP-8 | TC3W02F-TE12L.pdf | ||
HIN211CB/ECB/EIB | HIN211CB/ECB/EIB HARRIS SOP | HIN211CB/ECB/EIB.pdf | ||
RH5VL55CA-T1-F | RH5VL55CA-T1-F RICOH SOT-89 | RH5VL55CA-T1-F.pdf | ||
AM45DL3208GB85I | AM45DL3208GB85I SPANSION/AMD FBGA69 | AM45DL3208GB85I.pdf | ||
EKMH181VSN821MR35T | EKMH181VSN821MR35T UCC NA | EKMH181VSN821MR35T.pdf | ||
0603R43K | 0603R43K RK SMD or Through Hole | 0603R43K.pdf |