Vishay BC Components SIR808DP-T1-GE3
- 제조업체 부품 번호
- SIR808DP-T1-GE3
- 제조업 자
- Vishay BC Components
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 25V 20A POWERPAK
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
SIR808DP-T1-GE3 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 338.59433
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 SIR808DP-T1-GE3 재고가 있습니다. 우리는 Vishay BC Components 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Vishay BC Components 전자 부품 전문. SIR808DP-T1-GE3 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. SIR808DP-T1-GE3가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- SIR808DP-T1-GE3 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
SIR808DP-T1-GE3 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-SIR808DP-T1-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIR808DP-T1-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 단종/ EOL | Commercial Mosfet OBS 29/Apr/2016 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | TrenchFET® | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 생산 종료 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.9 m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.8nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 815pF @ 12.5V | |
| 전력 - 최대 | 29.8W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIR808DP-T1-GE3 | |
| 관련 링크 | SIR808DP-, SIR808DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
SIR808DP-T1-GE3 의 관련 제품
 | 520L25CT26M0000 | 26MHz Clipped Sine Wave TCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 2.5mA | 520L25CT26M0000.pdf | |
 | SM-43TA102 | 1k Ohm 0.25W, 1/4W J Lead Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 5 Turn Side Adjustment | SM-43TA102.pdf | |
 | 744873221 | Shielded 2 Coil Inductor Array 880µH Inductance - Connected in Series 220µH Inductance - Connected in Parallel 580 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 910mA Nonstandard | 744873221.pdf | |
| TISP4240F3 | TISP4240F3 POWER TO-92 | TISP4240F3.pdf | |
| FC13D | FC13D SANYO SOT23-6 | FC13D.pdf | |
| 104-029-A | 104-029-A SYNOPTICS PLCC | 104-029-A.pdf | |
| KSC2001-YTA | KSC2001-YTA ORIGINAL TO-92 | KSC2001-YTA.pdf | |
| T498B475K016ATE2K1 | T498B475K016ATE2K1 KEMET SMD or Through Hole | T498B475K016ATE2K1.pdf | |
| HY3843AN(PB FREE) | HY3843AN(PB FREE) ORIGINAL DIP9 | HY3843AN(PB FREE).pdf | |
| CY39100V208B-83NTC | CY39100V208B-83NTC CYPRESS QFP | CY39100V208B-83NTC.pdf | |
| PBM99013/1 | PBM99013/1 INFIEON BGA | PBM99013/1.pdf | |
| 2D11-4R7 | 2D11-4R7 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2D11-4R7.pdf |