창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR484DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR484DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 8.3m옴 @ 17.2A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 23nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 830pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 29.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR484DP-T1-GE3-ND SIR484DP-T1-GE3TR SIR484DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR484DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR484DP-, SIR484DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
SIT9001AC-23-33D4-12.50000T | OSC XO 3.3V 12.5MHZ SD -2.0% | SIT9001AC-23-33D4-12.50000T.pdf | ||
BZX84C5V1-E3-18 | DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23-3 | BZX84C5V1-E3-18.pdf | ||
3631B821KL | 820µH Shielded Inductor 350mA 1.7 Ohm Max Nonstandard | 3631B821KL.pdf | ||
Y11697K62500B9R | RES SMD 7.625K OHM 0.6W 3017 | Y11697K62500B9R.pdf | ||
HDM14JT22K0 | RES 22K OHM 1/4W 5% AXIAL | HDM14JT22K0.pdf | ||
PEB1757E | PEB1757E LNFINEON SMD or Through Hole | PEB1757E.pdf | ||
1812/226/X7RK/16V | 1812/226/X7RK/16V TAIYO SMD or Through Hole | 1812/226/X7RK/16V.pdf | ||
PGT848 | PGT848 TI TSSOP20 | PGT848.pdf | ||
CM108/AX108 | CM108/AX108 ORIGINAL QFP48 | CM108/AX108.pdf | ||
HN623258F H74 | HN623258F H74 HIT SOP | HN623258F H74.pdf |