창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR418DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR418DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2410pF @ 20V | |
전력 - 최대 | 39W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR418DP-T1-GE3-ND SIR418DP-T1-GE3TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR418DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR418DP-, SIR418DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
445I35F24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 24pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I35F24M57600.pdf | ||
2500-15G | 510µH Unshielded Molded Inductor 105mA 11.6 Ohm Max Axial | 2500-15G.pdf | ||
1472995-4 | RELAY TIME DELAY | 1472995-4.pdf | ||
CAY16-000J2LF | RES ARRAY 2 RES ZERO OHM 0606 | CAY16-000J2LF.pdf | ||
BFP620F-E7764 | BFP620F-E7764 INFINEON TR | BFP620F-E7764.pdf | ||
BC858CLT1G 3L | BC858CLT1G 3L ON SOT23 | BC858CLT1G 3L.pdf | ||
MAX913APA | MAX913APA MAX SMD or Through Hole | MAX913APA.pdf | ||
74ALS164A | 74ALS164A TI SOP | 74ALS164A.pdf | ||
206852-2 | 206852-2 TYCO SMD or Through Hole | 206852-2.pdf | ||
SM02B-SSR-H-TB(LF)(SN) | SM02B-SSR-H-TB(LF)(SN) JST SMD or Through Hole | SM02B-SSR-H-TB(LF)(SN).pdf | ||
MAX6338LUB | MAX6338LUB MAXIM MSOP10 | MAX6338LUB.pdf | ||
RW1H106M0811MBB480 | RW1H106M0811MBB480 SAMWHA SMD or Through Hole | RW1H106M0811MBB480.pdf |