창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-SIR404DP-T1-GE3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | SIR404DP | |
비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
PCN 조립/원산지 | Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Vishay Siliconix | |
계열 | TrenchFET® | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8130pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 104W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | PowerPAK® SO-8 | |
공급 장치 패키지 | PowerPAK® SO-8 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | SIR404DP-T1-GE3TR SIR404DPT1GE3 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | SIR404DP-T1-GE3 | |
관련 링크 | SIR404DP-, SIR404DP-T1-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
NJM1206 | NJM1206 JRC SOP8 | NJM1206.pdf | ||
CAT28F020LI-90 | CAT28F020LI-90 ON DIP | CAT28F020LI-90.pdf | ||
HK2H477M350065HA | HK2H477M350065HA SAMWHA Call | HK2H477M350065HA.pdf | ||
TCS2156-3.0 | TCS2156-3.0 TCS SOT-23 | TCS2156-3.0.pdf | ||
QMV3061BF5 | QMV3061BF5 NOR PQFP | QMV3061BF5.pdf | ||
PT7150 | PT7150 TI TSSOP5.2 | PT7150.pdf | ||
ATF750C15JI | ATF750C15JI ATMEL PLCC | ATF750C15JI.pdf | ||
MSM6598 | MSM6598 OKI SMD or Through Hole | MSM6598.pdf | ||
XC2C2567TQ144I | XC2C2567TQ144I XIL SMD | XC2C2567TQ144I.pdf | ||
LT1086CT285 | LT1086CT285 ORIGINAL SOP | LT1086CT285.pdf | ||
8472LCM1625WPN010 | 8472LCM1625WPN010 FENGHUA SMD or Through Hole | 8472LCM1625WPN010.pdf | ||
HEF4555BP | HEF4555BP NXP DIP16 | HEF4555BP.pdf |