창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHW70N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHW70N60EF | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 주요제품 | 600 V EF Series MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 38m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7500pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 480 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHW70N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHW70N60, SIHW70N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
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![]() | SM59R09A3L25QP | SM59R09A3L25QP SYNCMOS QFP44 | SM59R09A3L25QP.pdf | |
![]() | GRM0225C1C4R6CD05L | GRM0225C1C4R6CD05L Murata SMD or Through Hole | GRM0225C1C4R6CD05L.pdf | |
![]() | BZX84J-C11115 | BZX84J-C11115 N/A SMD or Through Hole | BZX84J-C11115.pdf | |
![]() | MX5-12S-C-G | MX5-12S-C-G JAE SMD or Through Hole | MX5-12S-C-G.pdf | |
![]() | UPD753016AGK-003-9EU | UPD753016AGK-003-9EU NEC QFP | UPD753016AGK-003-9EU.pdf | |
![]() | MT020N06VT4 | MT020N06VT4 ORIGINAL DIP/SMD | MT020N06VT4.pdf | |
![]() | STK65040II | STK65040II SANYO SMD or Through Hole | STK65040II.pdf |