창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHW47N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHW47N60EF-GE3 | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-070-2014-Rev-0 19/Jun/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 47A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 67m옴 @ 24A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 225nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4854pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 379W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHW47N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHW47N60, SIHW47N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | B41231A5109M | 10000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B41231A5109M.pdf | |
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![]() | IDT599A-5JI | IDT599A-5JI IDT PLCC | IDT599A-5JI.pdf | |
![]() | ispLSI1016E-80LJNI | ispLSI1016E-80LJNI Lattice PLCC44 | ispLSI1016E-80LJNI.pdf | |
![]() | 25SMT-3645-21 | 25SMT-3645-21 WLGORE 15KR | 25SMT-3645-21.pdf | |
![]() | SFE10.7MHY-A-TF21 | SFE10.7MHY-A-TF21 muRata DIP-3P | SFE10.7MHY-A-TF21.pdf | |
![]() | LTCMC | LTCMC LINEAR SMD or Through Hole | LTCMC.pdf | |
![]() | PAL20L2CJ | PAL20L2CJ MMI CDIP24 | PAL20L2CJ.pdf |