창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHU6N62E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHU6N62E-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 578pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHU6N62E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHU6N6, SIHU6N62E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 845HN-1C-C 6VDC | 845HN-1C-C 6VDC ORIGINAL SMD or Through Hole | 845HN-1C-C 6VDC.pdf | |
![]() | TOTX177L(FT) | TOTX177L(FT) TOSHIBA DIP3 | TOTX177L(FT).pdf | |
![]() | JC330-3 | JC330-3 ORIGINAL SMD or Through Hole | JC330-3.pdf | |
![]() | M24C02-RDW6P | M24C02-RDW6P ST MSOP | M24C02-RDW6P.pdf | |
![]() | SN74ALVCH162374DL | SN74ALVCH162374DL TI SSOP48 | SN74ALVCH162374DL.pdf | |
![]() | AT28C25615JC | AT28C25615JC ATMEL PLCC | AT28C25615JC.pdf | |
![]() | FH12S-45S-0.5SH 55 | FH12S-45S-0.5SH 55 HRS SMD or Through Hole | FH12S-45S-0.5SH 55.pdf | |
![]() | MQE541-688M | MQE541-688M MURATA 688M | MQE541-688M.pdf | |
![]() | ADM2111EARS | ADM2111EARS AD SOP28 | ADM2111EARS.pdf | |
![]() | EE19TD002 | EE19TD002 FDK SMD or Through Hole | EE19TD002.pdf | |
![]() | MN37114FT | MN37114FT PANASANI HIP14 | MN37114FT.pdf |