창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHU6N62E-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHU6N62E-GE3 | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 620V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 900m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 34nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 578pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-251-3 짧은 리드(Lead), IPak, TO-251AA | |
| 공급 장치 패키지 | IPAK(TO-251) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHU6N62E-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHU6N6, SIHU6N62E-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | T86D157M004EASS | 150µF Molded Tantalum Capacitors 4V 2917 (7343 Metric) 600 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T86D157M004EASS.pdf | |
![]() | CPPC7LT-A7BR-33.3333TS | 33.3333MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 25mA Enable/Disable | CPPC7LT-A7BR-33.3333TS.pdf | |
![]() | SR0805MR-7W470RL | RES SMD 470 OHM 20% 1/4W 0805 | SR0805MR-7W470RL.pdf | |
![]() | ERA-1AEB6810C | RES SMD 681 OHM 0.1% 1/20W 0201 | ERA-1AEB6810C.pdf | |
![]() | Y16231K20000B0L | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 8W TO220-2 | Y16231K20000B0L.pdf | |
![]() | CW001150R0JE70HS | RES 150 OHM 5% AXIAL | CW001150R0JE70HS.pdf | |
![]() | LT3591EDDBTRPBF | LT3591EDDBTRPBF LT SMD or Through Hole | LT3591EDDBTRPBF.pdf | |
![]() | 3002/ | 3002/ ORIGINAL SOP8 | 3002/.pdf | |
![]() | ML6426CS1X | ML6426CS1X FSC Call | ML6426CS1X.pdf | |
![]() | PL-2303HXCC2 | PL-2303HXCC2 n/a SMD or Through Hole | PL-2303HXCC2.pdf | |
![]() | SR0805150MSB | SR0805150MSB ABC SMD | SR0805150MSB.pdf |