창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP7N60E-E3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP7N60E | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| PCN 조립/원산지 | SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 600m옴 @ 3.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 40nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 680pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 78W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP7N60E-E3 | |
| 관련 링크 | SIHP7N6, SIHP7N60E-E3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | UMT1V3R3MDD1TE | 3.3µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UMT1V3R3MDD1TE.pdf | |
![]() | DM80-01-1-8940-3-LC | MOD LASER DWDM 100GHZ 120KM | DM80-01-1-8940-3-LC.pdf | |
![]() | IHSM5832RF272L | 2.7mH Unshielded Inductor 200mA 11.29 Ohm Max Nonstandard | IHSM5832RF272L.pdf | |
![]() | AP6215A-28GA | AP6215A-28GA AnSC SOT-25 | AP6215A-28GA.pdf | |
![]() | SFSH5.5MCB-TF21 | SFSH5.5MCB-TF21 MURATA SMD or Through Hole | SFSH5.5MCB-TF21.pdf | |
![]() | HZ151 | HZ151 ST DO-35 | HZ151.pdf | |
![]() | DD76N400K | DD76N400K AEG MODULE | DD76N400K.pdf | |
![]() | MM74VHC161MTCX | MM74VHC161MTCX FSC TSSOP | MM74VHC161MTCX.pdf | |
![]() | 32-68UH | 32-68UH LY SMD | 32-68UH.pdf | |
![]() | RM12JTN471 | RM12JTN471 TA-ITech ChipResistor | RM12JTN471.pdf | |
![]() | RT8805CPQVA | RT8805CPQVA RICHTEK QFN | RT8805CPQVA.pdf | |
![]() | EP1C3T100I6N | EP1C3T100I6N ALTERA QFP100 | EP1C3T100I6N.pdf |