창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-SIHP28N60EF-GE3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | SIHP28N60EF-GE3 | |
| 애플리케이션 노트 | Operation, FOM, and Guidelines for MOSFET Selection | |
| 비디오 파일 | MOSFET Technologies for Power Conversion | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Vishay Siliconix | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 28A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 123m옴 @ 14A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2714pF @ 100V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | SIHP28N60EF-GE3 | |
| 관련 링크 | SIHP28N60, SIHP28N60EF-GE3 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 636L5I028M63636 | 28.63636MHz HCMOS, TTL XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 16mA Enable/Disable | 636L5I028M63636.pdf | |
![]() | 1N4747APE3/TR8 | DIODE ZENER 20V 1W DO204AL | 1N4747APE3/TR8.pdf | |
![]() | AT24C04-SU27 | AT24C04-SU27 AT SOP | AT24C04-SU27.pdf | |
![]() | JK0-0017 | JK0-0017 pulse RJ45 | JK0-0017.pdf | |
![]() | RCR03 | RCR03 UTC DIP-16 | RCR03.pdf | |
![]() | ADADC80-12 | ADADC80-12 ORIGINAL DIP | ADADC80-12 .pdf | |
![]() | ISL6236Z | ISL6236Z INTELRSIL QFN | ISL6236Z.pdf | |
![]() | RC4580IDR(ROHS) | RC4580IDR(ROHS) TI SOP | RC4580IDR(ROHS).pdf | |
![]() | 2SC3355(A3355ZA) | 2SC3355(A3355ZA) AIT TO-92 | 2SC3355(A3355ZA).pdf | |
![]() | CNR7D431 | CNR7D431 ZINCOXIDE SMD or Through Hole | CNR7D431.pdf | |
![]() | RA13H3040M | RA13H3040M ORIGINAL H2S | RA13H3040M.pdf | |
![]() | LFBK20104L181 | LFBK20104L181 TAIYO SMD or Through Hole | LFBK20104L181.pdf |